特性·增强型MOSFET晶体管(Idd≈OAVds12.5V, VGd0V)·输出功率60W效率40%Vo12.5V, VDD5V, Pin50mW·宽带频率范围:378-470MHz·金属屏蔽结构使杂散发射的改进变得简单·模块尺寸:67x19.4x9.9 mm·通过设置栅极电压来调节静态漏电流并利用输入功率控制输出功率实现线性工作。