0.关于5V转3.3V芯片使用AMS1117的结到环境热阻系数为85℃/W而TPS74401的是35.4℃/W。拿到手后实际测量工作时平均电流为0.26A在LDO上的压降 V 5-3.3 1.7VLDO功率P1.7*0.260.44W如果用AMS1117温升为52.8℃TPS74401的温升为15.5℃。如果环境温度25℃那AMS1117的温度会逼近80℃。其实还可以用DC-DCAMS1117的外部滤波电容可选钽电容1.推挽电路二.电压增益的换算增益带宽值开环增益140dB闭环增益40dB三.常见的运算放大器且运放的输入信号必须以运放的电源地为基准四N型半导体磷和P型半导体硼都可以单独导电对掺杂浓度有要求五.关于施密特触发器的原理如下图六.验证MOS管的G极加反向二极管是加速关断而三极管基极处加电容是加速开启增强型 MOS 管和耗尽型 MOS 管是 MOS 管的两大核心类型核心区别在于零栅压下的导通状态和导通控制逻辑,增强型的MOS管是通过外部的电压增强栅极的电场使沟道导通栅极的电流非常小而耗尽型的MOS管是SIO2隔离层里掺杂了钠离子使其本身带正电所以一直是导通状态施加反向电压就会截至耗尽型NMOS管DMZ1520E使用案例耗尽型PMOS是正电压关闭吗答案是的但是因为P管的S极是高电压而N管的S极是低电压所以PMOS的G极的电压比S极低但是也是正电压的实质导通要比S极的电压低的原因按道理可以给上拉电阻导通IO口3.3V或者0V都是截至待验证七.LC滤波器的L选型和C选型八.RC消火花电路九.BKP和RTC1.BKP备份寄存器2.BKP可用于存储用户应用程序数据。当VDD(2.0-3.6V电源被切断它们仍然能由VBAT1.8- 3.6V维持供电当系统在待机模式下被唤醒或系统复位或电源复位时他们也不会被复位 也就是上电也不会复位3.TAMPERPC13防拆引脚引脚产生的侵入事件将所有备份寄存器内容清除接上拉电阻引出外壳接防拆开关一旦拆外壳就会拉低电平4.RTC引脚PC13共用输出RTC校准时钟、RTC闹钟脉冲或者秒脉冲5.存储RTC时钟校准寄存器十.差分运算放大器的应用运用差分运放作用是减少外界对放大信号的影响上图当U1作用U2不作用时运算放大器是同相放大器当U2作用U1不作用时是反向放大器用公式计算刚好是十倍的差值R2就是分压的电阻当R2的接地端是输入电压时也要纳入计算运算放大器的计算方法根据虚短内部近视短接虚断外部输入阻抗无穷大近视无电流通过根据KCL输入电流等于输出电流所以Ui/R-Uo/Rf只要是负反馈两边电流就是相等的IrIf就是就流入等于流出,这是反向运算放大器如果是同相运算放大器电流是从运算放大器的输出Vout流向反相端的R’是平衡电阻平衡放大器的静态偏置电流以防正相和反相的电压相等十一.JFET结型场效应管1.JFET有P管和N管P管加正电压截止N管就是加负电压截止。下图是N型2..JFET转移特性曲线电压变化导致的电流变化3.实例应用跨阻放大器其中C1是补尝电容因为运放加了负反馈就是不断使正相VP和反相VN相等就会产生波浪型的震荡电平需要C1补偿其中P结型场效应管Q1是通电就断开断电接闭合,为了消耗储存的电能其中U1.1是电压跟随器而U2.2是跨阻放大器主要看H1的两端都接在U2.2上就是跨阻就是通过改变H1两点的电流值来使输出端的电压变化H1可以看做电流源其跟DA的T型网络放大器有点像VgpioIR5Vp十二.放大器信号输入端并联一对正反并联的二极管在电路的作用如何理解其作用是为了保护放大器一般这类放大器的输入信号都比较小在毫伏级当输入信号远低于二极管的导通电压时0-200mV),二极管不起作用。当超过二极管的导通电压0.7V)时二极管就会导通,此时就会将输入信号钳位在0.7V这样就可以保护放大器。十三.示波器波型调节如果重叠是多通道波型重合显示调节各通道位移旋钮分开显示即可如果是波幅度过大调节各通道增益或衰减波型则合适大小。如果是波型没有稳定显示调节触发电平 使波型稳定同步显示即可。十四.Zigbee十五.电容越大其输出的电压就越平稳电容的充电时间与串联在交流电中电压与电流的差90度的说明电容刚充电时电压最小但是电流是最大的而在电容冲满电时电压最大但是电流最小所以电压与电流在正弦交流中呈现出相差了Π/2的结果Π/2就是90度。0.1μF电容的充电时间取决于电路参数具体计算如下理论计算根据公式 t RC时间常数当R10kΩ、C0.1μF时充电时间为 1ms。若电压达到电源电压如3.3V或5V即停止充电实际充电过程需持续约 3~5ms 以确保电容完全充满。 12影响因素电压阈值当电容两端电压达到有效复位电压如0.8V时复位结束。 2电路参数若电阻或电容值变化充电时间需重新计算。例如R1kΩ时t≈5msR10kΩ时t≈1ms。 45实际应用中需考虑电源内阻、电容ESR等因素十六.DDR和FPGA-bank接口1.DDR双倍数据速率同步动态随机存取内存双倍传输速率DDR在时钟信号的上升沿和下降沿各传输一次数据从而实现比传统SDRAM更高的传输速率BANK接口就是共用一个电源的一组I/O管脚为了便于管理和适应多种电器标准FPGA的IOB被划分为若干个组bank每个bank的接口标准由其接口电压VCCO决定一个bank只能有一种VCCO但不同bank的VCCO可以不同。只有相同电气标准的端口才能连接在一起VCCO电压相同是接口标准的基本条件。我也觉得只是电压的不同专业一点应该叫电气标准不同吧……十七.SRAM和DRAM与D触发器SDRAMSynchronous Dynamic Random Access Memory同步动态随机存取存储器所以DRAM(动态随机存取存储器)常用于低速高密度大容量的应用典型的例子就是我们电脑里面的内存条。其内部是晶体管和电容组成而SRAM(静态随机存取存储器)价格较贵占用面积较大而读写速度快功耗低在电脑里面常用作CPU或GPU的高速缓存。其内部是SR锁存器或者是D锁存器组成利用CLK的上升沿或下降沿的非门延时来锁存数据逻辑门里的缓冲器Buffer Gate是一种特殊的逻辑门核心作用可以概括为“信号复制、增强驱动、隔离前后级”—— 它不会改变输入信号的逻辑电平输入 0 输出 0输入 1 输出 1但能解决信号传输中的 “带不动负载”“被干扰” 等问题。十八.电源树是为了更清晰的观察分布不同电源那个需要整面铺铜那个只需要走线更好的为后面的PCB设计打基础十九.数据隔离器要看清楚收发方向以免信号传输不当要看多少个收发通道来选择用哪种隔离器二十.485的单位负载是什么输入阻抗是多少IIC和SPI的使用485的自收发电路IIC之所以用软件IIC是因为硬件IIC调试容易出错且IIC多速度的要求不高而SPI对速度要求比较高只能在硬件的基础上调试软件达不到硬件的速度二十一.电感和磁珠二十二.FPGA供电电源分析要控制电源的纹波的大小测试电源的纹波。PLL是内部锁相环电压二十三.烙铁焊接芯片时温度一般不超过310度以防焊坏引脚二十四.对于单点接地得描述就是一个接地插头不能有通过其他的螺孔或者天线接地防止形成地环路二十五.无功电能脉冲输出是电能表中用于表示无功功率消耗的脉冲信号通常通过特定接口如R/-R端子输出其脉冲频率与无功电能大小成正比。该功能主要用于电网功率因数调节、无功补偿装置控制及能源管理系统中的无功电能监测。有功电能脉冲输出是电能表通过光耦隔离型接口输出的物理信号用于指示有功电能计量状态其脉冲频率与有功功率大小成正比。该功能主要用于电能表校表、电能量数据采集及远传监控支持集电极开路输出方式典型脉冲宽度为80±20ms二十六.STM32和DSP的区别STM32是趋向于控制DSP趋向于实时数据的采集实时数据类似于“声音影像”一下子就会消失的DSP内部还有TCU三角函数运算硬件它的数据直接传输到RAM,比ROM快5倍二十七.单片机和FPGA的区别二十八.CPLD和FPGA的区别29.什么是开关量什么是模拟量开关量是离散的而模拟量是连续的是如4-20mA的电流持续的正炫波可以取任意的值使用420mA是因为电路串联电流相等不会受线路的内阻影响分30.谐波和线性负载非线性负载包括开关电源、变频器、电子镇流器、计算机、充电器及UPS系统等感性负载和容性负载等不一定是线性负载让电流比电压滞后的都是呈感性吗在正弦交流电路中电流相位比电压相位滞后的负载其等效阻抗一定呈感性让电压比电流滞后的都是呈容性吗在正弦稳态交流电路中电压相位比电流相位滞后的负载其等效阻抗一定呈容性。31.为什么NPN三极管的集电极和基极电压不同时发射极接地时就可以饱和三极管的集电极和基极电压不同时发射极接电阻时不可以等于集电极电压原因如下电阻分压电压与三极管齐平就无法导通32.三极管和静态工作点三极管就是利用基极的变化电流来控制集电极的电流它们成比例关系基极是波形集电极也是波形静态工作点(直流条件就是三极管刚好能正常工作的电压或电流动态的特性小信号当三极管饱和时增大基极的电流集电极电流不会发生改变串联在集电极上的负载电流也不会发生改变当继续增大电流会超过基极的最大电流范围导致烧毁所以集电极经常加限流电阻当NPN三极管的反射极接负载R时基极电压小于集电极电压时R的电压会逐渐增大到和基极电压一样大VbVr0.7v不等于VCC且Vr(IbIc)xR所以就是因为发射极和集电极的电压相等就饱和了三极管放大的本质也是利用了它的开关特性同理MOS管也可以组成运算放大器上述案例三极管的组合保护后级电路33.静态工作点的作用分析静态工作点静态的时候就是只有直流分量的时候不存在交流分量而动态就是两个分量同时存在意思就是要保证IcβIb当Ic不随Ib变化而变化三极管就饱和了就失去了放大作用也就是不能增大Ic串联回路的电流饱和和截止都不行都会失去放大作用动态工作时输入信号都是在静态工作点的电压电流叠加下进行的34.共模电感抑制共模放行差模,差模信号就是A-B35.磁珠的选型DCR就是直流电阻阻抗是高频状态下的阻值不同于直流电阻36.MOS管和米勒平台当MOS管通过Vgs打开时漏极电压快速下降使Cgd电容充电Cgs无电流通过MOS管停止打开就会出现米勒平台米勒平台就是MOS发热的主要原因当Vds充满电就会给Vgs抬升电压37.半导体器件导通或关闭时仍有反向的电流其原因是器件的本征激发导致的,二极管需要反向恢复时间短是二极管能快速阻断反向电流的能力是二极管内部快速恢复势垒层的速度从导通到截至的过程一般是肖特基二极管最短38.肖特基二极管反向回复时间的应用一个5V的电源通过二极管给芯片供电一个3.3V的电源也通过二极管给芯片供电那这个芯片的供电电压是多少?芯片的电压应该是5V-0.3V4.7V楮管的情况下因为5V电源会先导通导通后就会比3.3V大4.7V-3.3V1.4V,二极管就会形成势垒层3.3V就不会导通同理其他的电源也是适用的39.不要连线去接决铺地的问题先用过孔解决防止导线过流不足多层板晶振的首层不铺铜其他层铺铜但是晶振底下都不走线40.在三极管电路分压法不适用于基极电流不能忽略不计的场景只有被测电阻远大于滑动电阻本身才能使用41.电位分析法求得IBQ共基放大电路因为输入输出都在集电极和发射极所以它们的电流放大倍数a约等于1电压放大倍数也很大42.热敏电阻的类型43.运算放大器的负反馈理解不管Vn的前面加多少个期间都只是保证VnVp,形成负反馈和续短44.精密半波整流电路