半导体芯片集成制造编号类型领域子领域 / 内容问题步骤拆解参数列表及参数的数值范围及数值分析及常量/常数1物理制造光刻 Lithography光学成像 + OPC掩模图案经投影物镜后在光刻胶上形成畸变，如何预补偿？电磁（亥姆霍兹/波动光学）+ 傅里叶光学 + 部分相干成像 + 几何（图形偏移）+ 优化（泛函变分）步骤：① 掩模 M(x,y) → ② 部分相干成像 I = ∬ S(α,β)·|ℱ{M·P·exp(iW)}² dαdβ → ③ EPE = CD_target − CD_actual → ④ OPC 移动边 Δ = argmin EPE²(M') → ⑤ ILT 把 M→连续相位/振幅优化。时序：mask tape-out → OPC → MRC → RET → wafer print