什么是DRAM动态随机存取存储器DRAM动态随机存取存储器全称为Dynamic Random Access Memory是一种典型的易失性半导体存储器。DRAM动态随机存取存储器可以随机地对存储单元进行读写操作而不需要像顺序存储器那样按照特定的顺序进行访问。DRAM动态随机存取存储器的“动态”二字源于它的工作特性必须通过周期性刷新来维持数据。这与利用电荷陷阱存储数据的NAND闪存有着本质区别DRAM主要用于系统运行时的临时数据存储与高速缓存直接决定了电子设备的运行速度和多任务处理能力。DRAM动态随机存取存储器的存储原理是什么DRAM动态随机存取存储器简单来说就是一个由“晶体管电容”组成的基本存储单元1T1C。动态随机存储器DRAM是利用存储元电路中的栅极电容上的电荷来存储信息的常见的DRAM的基本存储电路通常分为三管式和单管式。当电容处于充电状态时代表二进制“1”当电容放电时则代表二进制“0”。DRAM采用了地址复用技术。它将地址线数量减半通过分时传送行地址和列地址来定位存储单元有效减少了芯片的引脚数量。DRAM动态随机存取存储器的刷新机制DRAM存储信息的电容存在物理特性上的漏电现象其上的电荷通常只能维持极短的时间约1-2ms。为了防止数据丢失必须在电荷泄漏殆尽前对其进行补充或重写这个过程就是“刷新”。这也解释了为什么DRAM断电后数据会立即丢失。由于电容的电荷保持特性刷新操作是DRAM工作的核心环节。常见的刷新策略有三种1.集中刷新DRAM动态随机存取存储器会在特定的刷新周期内集中所有时间对所有行逐一刷新。此期间无法进行正常读写会产生一段“死时间”。2.分散刷新将刷新操作分散到每个存取周期中。这消除了“死时间”但延长了存取周期一定程度上降低了系统性能。3.异步刷新结合了前两者的优点将刷新操作分散在整个刷新周期内进行既保证了数据的有效保持又最大限度地减少了对正常访问的影响。英尚微电子提供丰富的DRAM产品具备专业的技术支持团队能够为客户提供从选型到设计服务。致力于为客户提供DRAM动态随机存取存储器解决方案。如果您有DRAM产品方面的任何疑问可以搜索英尚微电子网页咨询。